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        我國擬打造第三代半導體研發及產業化創新平臺

        信息來源 : 網絡 | 發布時間 : 2016-09-26 10:31 | 瀏覽次數 : 935

         近日,彩虹藍光-北京大學協同創新中心簽約儀式在安徽合肥舉行。雙方將攜手打造我國第三代半導體研發及產業化的重要創新平臺。

        半導體作為在常溫下介于導體和絕緣體之間的材料,廣泛應用于測溫等領域。隨著社會的不斷發展,半導體不論是在科技或是經濟方面,都具有巨大的作用。為謀求半導體產業高地,世界各國紛紛加快研究步伐。其中,以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。

        此次安徽合肥攜手中國電子,著手打造彩虹藍光—北京大學協同創新中心,也是積極部署第三代半導體創新高地,落實科技強國戰略,助力我國創新產業發展的表現。

        據悉,此次彩虹藍光-北京大學協同創新中心的建設將分為兩期,先期將重點放在人才引進以及實驗室硬件條件打造上,同時以電子材料和器件技術研發為重點,逐步打造我國第三代半導體研發平臺。


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